Martis R et al. Transport in high mobility amorphous wide band gap indium zinc oxide films. Physica status solidi. A. Applied Research, Wiley-Vch Verlag, Berlin, vol.202, no.9, 2005, p.R95-R97. Chiang H.Q. et al. High mobility transparent thin film transistors with amorphous zinc tin oxide channel layer. Applied Physics Letters, Aip, AmericanInstitute of Physics, Melville, NY, US, v. 86, 2004, p.13503-1. US 2001/014535 A1, 16.08.2001. WO 2005/088726 A, 22.09.2005. EP 1551059 A2, 06.07.2005. US 2003/218222 A1, 27.11.2003. RU 2069417 C1, 20.11.1996.
Изобретение относится к полевым транзисторам с использованием аморфного оксида для активного слоя. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, содержащем активный слой и изолирующую затвор пленку, активный слой содержит слой оксида, содержащего In, Zn и Ga, аморфную область и кристаллическую область, и при этом кристаллическая область отделена от первой поверхности раздела, которая является поверхностью раздела между слоем оксида и изолирующей затвор пленкой, расстоянием в 1/2 или менее толщины активного слоя и находится в пределах 300 нм от поверхности раздела между активным слоем и изолирующей затвор пленкой или находится в точечном состоянии в контакте с этой поверхностью раздела. Изобретение обеспечивает получение полевого транзистора с высокой дрейфовой подвижностью. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента