WO 2006/122252 А2, 16.11.2006. RU 2340041 C1, 27.11.2008. US 6936850 B2, 30.08.2005. US 7026650 В2, 11.04.2006. US 7368371 B2, 06.05.2008. JP 2004335815 А, 25.11.2004. JP 2002134760 А, 10.05.2002. KR 20000051336 А, 16.08.2000.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "Мегаимпульс" (RU)
Изобретатели:
Грехов Игорь Всеволодович (RU) Иванов Павел Анатольевич (RU) Потапов Александр Сергеевич (RU) Самсонова Татьяна Павловна (RU) Коньков Олег Игоревич (RU) Ильинская Наталья Дмитриевна (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "Мегаимпульс" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, конкретно - к конструкции высоковольтных выпрямительных диодов типа диодов Шоттки на основе карбида кремния. Сущность изобретения: интегрированный Шоттки-рn диод на основе карбида кремния включает сильнолегированную подложку из карбида кремния n-типа и эпитаксиальный слой из карбида кремния n-типа толщиной (10-13)мкм с концентрацией примеси (1-2)1015 см-3, расположенный на ее верхней стороне. В эпитаксиальном слое созданы планарные р-n переходы с легированными бором р-областями с одинаковой глубиной залегания, часть которых расположена под никелевым Шоттки контактом, а остальные выполнены в виде покрытой слоем оксида кремния охранной структуры. Охранная структура состоит из основного р-n перехода и плавающих охранных колец. На обратной стороне подложки расположен никелевый омический контакт, а все упомянутые р-n переходы в области металлургической границы имеют диффузионный профиль распределения примесей, а отношение глубины их залегания к толщине эпитаксиального слоя удовлетворяет соотношению 0.08h/d0.20, где h - глубина залегания р-n переходов; d - толщина эпитаксиального слоя. Изобретение обеспечивает увеличение напряжения пробоя интегрированного карбидкремниевого Шоттки-рn диода при удешевлении прибора. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента