Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


МОЩНЫЙ СВЧ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С БАРЬЕРОМ ШОТКИ

Номер публикации патента: 2393589

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2009119693/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L029/812    
Аналоги изобретения: RU 2307424 C1, 27.09.2007. RU 2227344 C2, 20.04.2004. SU 1097139 A, 15.04.1987. СА 921175 А1, 13.02.1973. 

Имя заявителя: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU) 
Изобретатели: Лапин Владимир Григорьевич (RU)
Петров Константин Игнатьевич (RU)
Темнов Александр Михайлович (RU) 
Патентообладатели: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU) 

Реферат


Изобретение относится к электронной технике. Мощный СВЧ полевой транзистор с барьером Шотки содержит полуизолирующую подложку арсенида галлия с активным слоем, гребенку из чередующейся, по меньшей мере, более одной последовательности единичных электродов истока, затвора, стока. Между парами единичных электродов исток-сток расположены области полуизолирующего арсенида галлия, а в парах единичных электродов исток-сток расположены каналы с канавками, в последних расположены единичные электроды затвора. Единичные электроды затвора расположены асимметрично в сторону единичных электродов истока, одноименные единичные электроды истока, затвора, стока соединены электрически. При этом полевой транзистор с барьером Шотки, согласно изобретению, в канале каждой из пар единичных электродов исток-сток со стороны единичного электрода истока дополнительно содержит диэлектрический слой, имеющий низкую диэлектрическую проницаемость, толщиной, равной 0,15-0,25 мкм, а каждый из единичных электродов затвора относительно его боковой поверхности со стороны единичного электрода стока выполнен по высоте с разным размером поперечного сечения в сторону единичного электрода истока, верхним - длинным и нижним - коротким, примыкающим к поверхности канавки канала, при этом размер поперечного сечения верхней - длинной части превышает размер поперечного сечения нижней - короткой части на 0,5-0,8 мкм, высота последней равна толщине дополнительного диэлектрического слоя. При этом с одной стороны две взаимно перпендикулярные поверхности дополнительного диэлектрического слоя относительно его толщины непосредственно примыкают по ширине единичного электрода затвора к вертикальной поверхности его нижней - короткой части и к горизонтальной превышающей поверхности верхней - длинной части соответственно, а с противоположной стороны упомянутые поверхности расположены вровень с краем верхней - длинной части единичного электрода затвора либо перекрывают от этого края канал с единичным электродом истока не более 4 мкм. Изобретение обеспечивает повышение выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия. 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"