J.T.JONES et al. Charge storage in CeO2/Si/CeO2/Si (111) structures by electrostatic force microscopy. Applied Physics Letters, v.75, (1999) pp.1326-1328. US 2006177975 A1, 10.08.2006. US 2006180852 A1, 17.08.2006. WO 2004076367 A1, 10.09.2004. KR 20010092958 A, 27.10.2001. JP 2000286396 A, 13.10.2000. RU 225657 C1, 20.07.2005.
Имя заявителя:
Миловзоров Дмитрий Евгеньевич (RU)
Изобретатели:
Миловзоров Дмитрий Евгеньевич (RU)
Патентообладатели:
Миловзоров Дмитрий Евгеньевич (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковым приборам оптоэлектроники и устройствам памяти. Сущность изобретения: в устройстве памяти, включающем подложку с нанесенными тонкими слоями оксида церия и кремния, и металлическими электродами для записи и стирания информации, подложка выполнена из стекла, подвергнутого предварительной очистке ацетоном, изопропиловым спиртом, на которую нанесен слой оксида церия при температуре, превышающей 600°С, толщиной более 3 нм и пленка кремния толщиной 50-100 нм. Изобретение позволяет увеличить время хранения информации, упростить технологию изготовления и снизить затраты на производство. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента