ЕР 0343369 А1, 29.11.1989. RU 2308121 С1, 10.10.2007. WO 92/17907 А1, 15.10.1992. WO 98/15010 A1, 09.04.1998. WO 204/030103 A1, 08.04.2004. DE 10344592 A1, 19.05.2005.
Имя заявителя:
Открытое Акционерное Общество "Электровыпрямитель" (RU), Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский электротехнический институт имени В.И. Ленина" (RU)
Изобретатели:
Дерменжи Пантелей Георгиевич (RU) Сурма Алексей Маратович (RU) Чибиркин Владимир Васильевич (RU) Кавтун Валерий Иванович (RU)
Патентообладатели:
Открытое Акционерное Общество "Электровыпрямитель" (RU) Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский электротехнический институт имени В.И. Ленина" (RU)
Реферат
Изобретение относится к конструкции силового полупроводникового прибора. Техническим результатом изобретения является повышение критической скорости нарастания тока при переключении прибора в случае перенапряжений. Сущность изобретения: силовой полупроводниковый прибор, выполненный на основе кремниевой пластины n-типа электропроводности с двумя главными поверхностями, содержащий, по меньшей мере, один эмиттерный n+-слой со стороны первой главной поверхности, базовый p-слой, выходящий на первую главную поверхность и образующий с эмиттерным n+-слоем эмиттерный n+-p-переход, базовый n-слой, смежный с базовым p-слоем и образующий с ним коллекторный p-n-переход, эмиттерный p+-слой со стороны второй главной поверхности, металлизации эмиттерных p+- и n+-слоев и базового p-слоя, триодную зону p+-n-p-типа между металлизациями эмиттерного p+-слоя и базового p-слоя и вокруг нее тиристорную зону p+-n-p-n+-типа между металлизациями эмиттерных р+- и n+-слоев, локальную область с водородсодержащими донорами в базовом n-слое в пределах триодной зоны p+-n-p-типа, расположенную между коллекторным p-n-переходом и серединой базового n-слоя и простирающуюся, по крайней мере, на часть тиристорной зоны, прилегающую к триодной зоне, дополнительную локальную область с водородсодержащими донорами в базовом p-слое, которая расположена под периферийной частью эмиттерного n+-слоя. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента