RU 2284612 С2, 27.09.2006. RU 2387046 С1, 20.04.2010. RU 2239916 С1, 10.11.2004. RU 2204144 С2, 10.05.2003. RU 25369 U1, 27.09.2002. SU 1702458 А1, 30.12.1991. US 5323050 А, 21.06.1994. US 5179429 A, 12.01.1993.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования " Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) (RU)
Изобретатели:
Козлов Антон Викторович (RU) Королев Михаил Александрович (RU) Тихонов Роберт Дмитриевич (RU) Черемисинов Андрей Андреевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования " Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Сущность изобретения: планарный биполярный магнитотранзистор содержит кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман, область базы в кармане, области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов в базе, области контактов к базе, к диффузионному карману, к подложке. Области эмиттера и коллекторов располагаются на большом расстоянии друг от друга вдоль вертикальной части pn-перехода база-карман и на небольшом расстоянии от границы области объемного заряда pn-перехода база-карман. Контакты к карману относительно перехода база-карман располагаются напротив коллекторов, контакты к базе располагаются между эмиттером и коллекторами и ограничивают протекание тока инжектированных носителей заряда напрямую между эмиттером и коллекторами. С каждой стороны от полоскового эмиттера расположены по два коллектора, левые и правые относительно эмиттера коллекторы соединены металлизацией и имеют два общих вывода коллекторов. Разница токов коллекторов в магнитном поле соответствует измеряемой составляющей вектора магнитной индукции, перпендикулярной поверхности кристалла. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности к магнитному полю, направленному перпендикулярно поверхности кристалла. 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента