Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)" (RU)
Изобретатели:
Орлов Павел Владимирович (RU) Попович Илья Павлович (RU) Трубочкина Надежда Константиновна (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)" (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем памяти с элементами нанометровых размеров. Сущность изобретения заключается в том, что подложка выполнена наноразмерной и является общим анодом нагрузочных диодов, на подложке расположены первая область второго типа проводимости, которая является коллектором первого переключающего транзистора и катодом первого нагрузочного диода, выполненная наноразмерной, вторая область второго типа проводимости, которая является коллектором второго переключающего транзистора и катодом второго нагрузочного диода, выполненная наноразмерной, первая и вторая области отделены друг от друга областью с диэлектрическими свойствами, на первой области второго типа проводимости расположена первая область первого типа проводимости, являющаяся базой первого переключающего транзистора, выполненная наноразмерной, на второй области второго типа проводимости расположена вторая область первого типа проводимости, являющаяся базой второго переключающего транзистора, выполненная наноразмерной, первая и вторая области второго типа проводимости разделены областью с диэлектрическими свойствами, на первой области первого типа проводимости расположена третья область второго типа проводимости, которая выполнена наноразмерной и является первым эмиттером первого переключающего транзистора, на второй области первого типа проводимости расположена четвертая область второго типа проводимости, выполненная наноразмерой, и является первым эмиттером второго переключающего транзистора, третья и четвертая области второго типа проводимости разделены областью с диэлектрическими свойствами, на первой области первого типа проводимости расположена пятая область второго типа проводимости, которая является вторым эмиттером первого переключающего транзистора, выполненная наноразмерной, на второй области первого типа проводимости расположена шестая область второго типа проводимости, которая является вторым эмиттером второго переключающего транзистора, выполненная наноразмерной, к которой подключена шина опорного напряжения. Технический результат - снижение потребляемой мощности и повышение быстродействия устройства. 2 з.п. ф-лы, 8 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента