Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


МДП - ВАРИКАП

Номер публикации патента: 2447541

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010149300/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L029/92    
Аналоги изобретения: RU 2119698 C1, 27.09.1998. RU 2086045 C1, 27.07.1997. SU 853708 A, 07.08.1981. US 4903086 A, 20.02.1990. US 5854117 A, 29.12.1998. US 2010/0244113 A1, 30.09.2010. US 2007/0145435 A1, 28.06.2007. US 2001/0031538 A1, 18.10.2001. 

Имя заявителя: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт микроприборов-К" (RU) 
Изобретатели: Сурин Юрий Васильевич (RU)
Петручук Иван Иванович (RU)
Нечипоренко Виктория Сергеевна (RU)
Львова Наталия Михайловна (RU)
Тишин Александр Сергеевич (RU)
Виговская Татьяна Владимировна (RU)
Сурин Михаил Юрьевич (RU) 
Патентообладатели: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт микроприборов-К" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано при разработке МДП-варикапов, предназначенных для устройств ВЧ и СВЧ диапазона для управления частотой и фазой переменного сигнала; направлено на увеличение предельного допустимого управляющего напряжения и на повышение стабильности минимального значения емкости прибора. Сущность изобретения: МДП-варикап содержит полупроводник, имеющий толщину меньше ширины области пространственного заряда, диэлектрик, управляющий электрод, узел стока неосновных носителей с p-n-переходом и контакт к полупроводнику. Под контактом к полупроводнику в области локализации элементов узла стока сформирован слой вспомогательного диэлектрика. Эффективность предложения обеспечивается тем, что МДП-варикап предлагаемой конструкции может быть использован в качестве как настроечного, так и в качестве переключательного элемента в широком классе устройств ВЧ и СВЧ диапазона. 2 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"