RU 2119698 C1, 27.09.1998. RU 2086045 C1, 27.07.1997. SU 853708 A, 07.08.1981. US 4903086 A, 20.02.1990. US 5854117 A, 29.12.1998. US 2010/0244113 A1, 30.09.2010. US 2007/0145435 A1, 28.06.2007. US 2001/0031538 A1, 18.10.2001.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт микроприборов-К" (RU)
Изобретатели:
Сурин Юрий Васильевич (RU) Петручук Иван Иванович (RU) Нечипоренко Виктория Сергеевна (RU) Львова Наталия Михайловна (RU) Тишин Александр Сергеевич (RU) Виговская Татьяна Владимировна (RU) Сурин Михаил Юрьевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт микроприборов-К" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано при разработке МДП-варикапов, предназначенных для устройств ВЧ и СВЧ диапазона для управления частотой и фазой переменного сигнала; направлено на увеличение предельного допустимого управляющего напряжения и на повышение стабильности минимального значения емкости прибора. Сущность изобретения: МДП-варикап содержит полупроводник, имеющий толщину меньше ширины области пространственного заряда, диэлектрик, управляющий электрод, узел стока неосновных носителей с p-n-переходом и контакт к полупроводнику. Под контактом к полупроводнику в области локализации элементов узла стока сформирован слой вспомогательного диэлектрика. Эффективность предложения обеспечивается тем, что МДП-варикап предлагаемой конструкции может быть использован в качестве как настроечного, так и в качестве переключательного элемента в широком классе устройств ВЧ и СВЧ диапазона. 2 ил.