US 2008/0073639 A1, 27.03.2008. US 2008/0116485 A1, 22.05.2008. US 2006/0076577 A1, 13.04.2006. US 5798540 A, 25.08.1998. US 4833101 A, 23.05.1989. JP 4124830 A, 24.04.1992. RU 72787 U1, 27.04.2008.
Имя заявителя:
ИНТЕЛ КОРПОРЕЙШН (US)
Изобретатели:
ХАДЕЙТ Манту К. (US) ТОЛЧИНСКИ Питер Г. (US) ЧОУ Лорен А. (US) ЛОУБЫЧЕВ Дмитрий (US) ФАСТЕНО Жоэль М. (US) ЛИУ Ами В.К. (US)
Патентообладатели:
ИНТЕЛ КОРПОРЕЙШН (US)
Приоритетные данные:
19.06.2008 US 12/214,737
Реферат
Изобретение относится к способам и структурам для формирования микроэлектронных устройств. Сущность изобретения: способ формирования буферной архитектуры включает формирование зародышевого слоя GaSb на подложке, формирование буферного слоя Ga(Al)AsSb на зародышевом слое GaSb, формирование нижнего барьерного слоя In0.52Al0.48As на буферном слое Ga(Al)AsSb и формирование переходного слоя InxAl1-x As на нижнем барьерном слое In0.52Al0.48 As. Изобретение обеспечивает изготовление структур с квантовыми ямами на основе InGaAs с малым числом дефектов и необходимым качеством. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента