На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СИМИСТОР С ОДНОПОЛЯРНЫМ УПРАВЛЕНИЕМ

Номер публикации патента: 755107

Вид документа:  A1  Страна публикации:  SU  Рег. номер заявки:  2713999		Получить полное описание патента

Реферат

Симистор с однополярным управлением, выполненный на основе многослойной структуры, например, n-р-n-р-n-типа, содержащий контакты основного токосъема на основных поверхностях структуры, под которыми расположены внешние слои n- и р-типа проводимости, и на одной из основных поверхностей расположен управляющий электрод, присоединенный к области р-типа проводимости с дополнительными областями n-типа проводимости и контактами, выполненными в виде полуколец и расположенными между управляющим электродом и контактом основного токосъема на одной поверхности структуры и внешним слоем n-типа проводимости и проекцией области управления, свободной от металла, на другой поверхности структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения крутизны фронтов нарастания анодного тока при включении, а также напряжения при коммутации, по границе проекции области управления на основную поверхность структуры выполнен кольцевой металлический контакт, на который проектируют дополнительные области n-типа проводимости, при этом кольцевой контакт имеет выступ, обращенный в сторону внешнего слоя n-типа проводимости.

2. Симистор по п.1, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности структуры к сигналу управления в обратном направлении, между контактом основного токосъема и кольцевым контактом расположена по крайней мере одна дополнительная кольцевая область n-типа проводимости.

Вернуться к списку