На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА ДЛЯ ИНФРАКРАСНОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА | ![](Images/non.gif) |
Номер публикации патента: 1649975 | ![](Images/empty.gif) |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01L031/18 | Аналоги изобретения: | Технология СБИС. /Под ред. С.3и. - М.: Мир, кн. 1, с. 187. Зи.С. Физика полупроводниковых приборов. - М.: Мир, 1984, кн. 2, с. 129-133. |
Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО АН СССР | Изобретатели: | Болотов В.В. Камаев Г.Н. Эмексузян В. |
Реферат | ![](Images/empty.gif) |
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании фотоприемных устройств видимого и инфракрасного излучения. Цель изобретения - повышение обнаружительной способности за счет снижения темнового тока. Фоточувствительный полупроводниковый элемент для инфракрасной области спектра на основе сильнолегированного мелкой примесью полупроводника в ходе его изготовления выдерживают при температуре 320-470 K в среде, содержащей свободные ионы водорода в течение времени 0,5·10 ч до получения на границе среда - полупроводник концентрации водорода ≥3·1016 см-3. При этом, если омические контакты наносят после указанной обработки, температура их нанесения не превышает 470 K. 2 з.п. ф-лы.
|