Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ЛАВИННЫЙ ФОТОПРИЕМНИК

Номер публикации патента: 1702831

Вид документа: A1 
Страна публикации: SU 
Рег. номер заявки: 4747595 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L031/06    
Аналоги изобретения: Авторское свидетельство СССР N 1407351, кл. H 01 L 31/06, 1986. Авторское свидетельство СССР N 1131403, кл H 01 L 31/06, 1984. 

Имя заявителя: Институт ядерных исследований АН СССР 
Изобретатели: Гасанов А.Г.
Головин В.М.
Садыгов З.Я.
Юсипов Н 

Реферат


Изобретение относится к области микрофотоэлектроники, конкретно к полупроводниковым фотоприемникам. Целью изобретения является улучшение стабильности, увеличение отношения сигнал/шум и уменьшение темнового тока. Лавинный фотоприемник содержит полупроводниковую подложку, не менее двух полупроводниковых областей с противоположным подложке типом проводимости, буферный слой и полевой электрод. Полупроводниковые области отделены от полевого электрода буферными областями, расположенными в буферном слое. При этом выполняется условие σ-1@б1-1@n1-1@б2-1@n2 , где σn1 и σn2 - проводимость обедненного слоя на границе подложка - полупроводниковая область и подложка - буферный слой соответственно, σб1 и σб2 - проводимость буферных областей и буферного слоя соответственно. Расстояние между полупроводниковыми областями не менее толщины буферного слоя, но не более удвоенной суммы максимальной толщины обедненного слоя при лавинном пробое и диффузионной длины неосновных носителей заряда в подложке. Использование буферных областей позволяет улучшить стабильность работы, т. к. конечное сопротивление буферной области ограничивает резкое развитие лавинного процесса. 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"