|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2061282 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L031/10 | | Аналоги изобретения: | 1. Европейский патент N 0363069, кл. H 01L 31/103, 1989. 2. Европейский патент N 0279248, кл. H 01L 31/10, 1988. |
| Имя заявителя: | Товарищество с ограниченной ответственностью Малое предприятие Фирма "КЭФП" | | Изобретатели: | Кашигин С.В. | | Патентообладатели: | Товарищество с ограниченной ответственностью Малое предприятие Фирма "КЭФП" |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, полупроводниковые детекторы ионизирующего излучения. Сущность изобретения: полупроводниковый детектор содержит полупроводниковую подложку первого типа проводимости и сформированные в ней две области второго типа проводимости и область первого типа проводимости с высокой концентрацией примеси, а также область первого типа проводимости с высокой концентрацией примеси, сформированную в виде сплошного слоя на обратной стороне подложки. На поверхности областей второго типа проводимости, а также на области первого типа проводимости, расположенной на обратной стороне подложки, сформированы электроды. Детектор обладает повышенной чувствительностью к ионизирующему излучению. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента