На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Номер публикации патента: 2097874

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  93051291		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: полупроводниковое и ядерное приборостроение. Сущность изобретения в полупроводниковом детекторе заряженных частиц на основе арсенида галлия, содержащем подложку из арсенида галлия, на противоположных сторонах которой выполнены слои из материалов n⁺ и p⁺ типов проводимости и металлические электроды, ориентация кристалла арсенида галлия выбрана (100), поверх слоя из материала n⁺ типа проводимости сформирован дополнительный слой из материала с относительным изменением параметров решетки da/a большим, чем у подложки, а слой из материала p⁺ проводимости выполнен из материала с относительным изменением параметров решетки меньшим, чем у подложки, причем толщины и состав дополнительного слоя и слоя из материала p⁺ типа проводимости выбраны таким образом, чтобы механические напряжения в подложке не превышали критического значения, выше которого образуются дислокации несоответствия. В качестве материала дополнительного слоя поверх слоя из материала n⁺ типа проводимости может быть использован материал с относительным изменением параметров решетки dа/а = +(1-5)·10^-4. В качестве материала дополнительного слоя поверх слоя из материала n⁺ типа проводимости использован твердый раствор In_xGa_1-xAs с 0+ типа проводимости использован углерод в качестве акцепторной примеси с концентрацией N_A = 10¹⁹см^-3. В слое из материала n⁺ типа проводимости в качестве донорной смеси использован германий с концентрацией N_d = 10¹⁸см^-3. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Вернуться к списку