|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ И ИЗМЕРЕНИЯ ПОТОКА ИК ИЗЛУЧЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2113745 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L031/08 G01J001/42 | | Аналоги изобретения: | 1. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. -М.: Высшая школа, 1987, с.119-121. 2. Астрова Е.В. и др. Фотопроводимость кремния, легированного селеном. Физика техники полупроводников. т. 18, вы п. 5, 1985, с.919-922. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО РАН | | Изобретатели: | Чистохин И.Б.
Тишковский Е.Г.
Зайцев Б.А. | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников СО РАН |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковой технике и для регистрации и измерения потока ИК излучения. Сущность изобретения: в способе регистрации и измерения потока ИК-излучения фоторезистором на основе кремния, легированного селеном, включающем приложение к его контактам постоянного напряжения, освещение фоторезистора и регистрацию сигнала с резистора нагрузки, прикладывают напряжение U(В) в диапазоне 1,4 · 103 · d 3 · d, регистрируют частоту колебаний тока f (Гц) в резисторе нагрузки и определяют величину потока ИК-излучения Рф (Вт/см2) из соотношения: Pф = f · U/b, где d - длина образца между контактными областями, см; b - постоянная величина для данного фоторезистора, определяемая по приведенному соотношению в указанном диапазоне напряжений хотя бы при одном известном значении Рф. Технический результат заключается в получении усиленного переменного фотосигнала, пропорционального потоку ИК-излучения непосредственно с фоторезистора без применения модуляции потока. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента