|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| КООРДИНАТНО - ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ДЕТЕКТОР (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2133524 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L031/115 G01T001/24 | | Аналоги изобретения: | Горн Л.С., Хазанов Б.И. Современные приборы для измерения ионизирующих излучений. - М.: Энергоатомиздат, 1989, с.85 - 87. US 5532491 A, 02.07.96. EP 0365203 A2, 25.04.90. RU 2097874 C1, 27.11.97. |
| Имя заявителя: | Мелешко Евгений Алексеевич | | Изобретатели: | Мелешко Е.А.
Мурашев В.Н.
Павлов Д.В.
Тарабрин Ю.А.
Яковлев Г.В. | | Патентообладатели: | Мелешко Евгений Алексеевич
Мурашев Виктор Николаевич
Павлов Дмитрий Владимирович
Тарабрин Юрий Александрович
Яковлев Генрих Васильевич |
Реферат | |
Использование: в области ядерного приборостроения и микроэлектронике. Технический результат: повышение быстродействия, чувствительности и координатного разрешения детектора. Сущность: в детекторе в качестве детектирующего элемента матрицы используется двухэмиттерный биполярный транзистор, первый эмиттер которого подсоединен к электроду, параллельному координатной оси X, второй эмиттер подсоединен к электроду, параллельному координатной оси Y, причем упомянутые электроды расположены со стороны попадания в детектор частиц, а коллекторы транзисторов подсоединены к общему электроду питания детектора, или в качестве детектирующего элемента матрицы используется составной биполярный транзистор, состоящий из одно- и двухэмиттерного транзисторов, в котором эмиттер одноэмиттерного транзистора подсоединен к базе двухэмиттерного транзистора, а коллекторы одно- и двухэмиттерного транзисторов подсоединены к общему электроду питания детектора, первый эмиттер двухэмиттерного транзистора подсоединен к электроду, параллельному координатной оси X, а второй эмиттер - к электроду, параллельному координатной оси Y, причем упомянутые электроды расположены со стороны попадания в детектор частиц, или в качестве детектирующего элемента матрицы используется комбинация диода и двухэмиттерного биполярного транзистора, в которой катод диода и коллектор транзистора подсоединены к общему электроду питания детектора, а анод диода - к базе транзистора, первый эмиттер транзистора подсоединен к электроду, параллельному координатной оси X, а второй эмиттер - к электроду, параллельному координатной оси Y, причем упомянутые электроды расположены со стороны попадания в детектор частиц. 3 с. и 1 з.п. ф-лы, 6 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента