Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ С ПЛЕНКОЙ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ

Номер публикации патента: 2151449

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 99100920/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L031/18    
Аналоги изобретения: L.SCHIRONE et. al., Porous Silicon in High Efficiency Large Solar Cells, 14<SP POS="POST">th</SP> European Photovoltaic Solar Energy Conference, Barcelona, Spain, 1997. RU 96102298 A, 27.08.1998. WO 96/36990 A1, 21.11.1996. DE 4416247 A1, 09.11.1995. RU 2087053 C1, 10.08.1997. 

Имя заявителя: Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства 
Изобретатели: Заддэ В.В.
Стребков Д.С.
Поляков В.И.
Старшинов И.П. 
Патентообладатели: Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства 

Реферат


Изобретение относится к изготовлению оптоэлектронных приборов, а именно кремниевых фотопреобразователей (ФП). Техническим результатом изобретения является снижение трудоемкости изготовления и повышение эффективности ФП. Сущность: после диффузионного легирования поверхности кремния на фоточувствительных участках поверхности перед нанесением контактов создают пленку пористого кремния, которая во время нанесения контактов выполняет функции защитной маски. Дополнительное повышение эффективности ФП достигается тем, что при создании р-n-перехода толщину легированного фосфором слоя на участках образования пористого кремния делают меньше, чем на контактных участках. 1 з.п. ф-лы.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"