|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД С НИЗКИМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ КОНТАКТА |  |
Номер публикации патента: 2166222 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L033/00 H01L031/0224 | | Аналоги изобретения: | US 5338944 A, 16.08.1994. Ashley T. "Electronic and optoelectronic devices in narrow Ga P semiconductors", Institute of physics conference series. International conf. materials for non - linear and electrooptics, № 144, 1995, р.345-352. SU 1837369 А1, 29.12.1990. |
| Имя заявителя: | ДЗЕ СЕКРЕТЭРИ ОФ СТЕЙТ ФОР ДЕФЕНС (GB) | | Изобретатели: | Тимоти ЭШЛИ (GB)
Грехем Джон ПРАЙС (GB) | | Патентообладатели: | ДЗЕ СЕКРЕТЭРИ ОФ СТЕЙТ ФОР ДЕФЕНС (GB) |
Реферат | |
Изобретение относится к устройствам, изготовленным из узкощелевых полупроводников для работы в инфракрасном диапазоне длин волн. Технический результат изобретения заключается в обеспечении низкого сопротивления контакта, прозрачности для излучения, генерируемого устройством, снижения потерь генерируемого излучения.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента