|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ДАТЧИКОМ НА ОСНОВЕ КАРБИДОКРЕМНИЕВОГО ДИОДА ШОТКИ |  |
Номер публикации патента: 2224332 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L031/108 | | Аналоги изобретения: | BADILA V. et al., Lift-Off technology for SiC UV detectors/-Diamond and related materials, 2000, № 9, р. 994-997. RU 2166221 С1, 27.04.2001. RU 2178601 С1, 20.01.2002. US 5093576 А, 03.03.1992. |
| Имя заявителя: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет,Государственное предприятие "Центр технологий микроэлектроники" | | Изобретатели: | Афанасьев А.В.
Ильин В.А.
Петров А.А. | | Патентообладатели: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
Государственное предприятие "Центр технологий микроэлектроники" |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в конструкции измерительной системы (ИС) температуры и/или ультрафиолетового излучения (УФИ). Для измерения температуры и возможности регистрации УФИ одним датчиком в условиях повышенной температуры ИС с полупроводниковым датчиком на основе карбидокремниевого диода Шотки (ДШ), содержащим подложку, выполненную из монокристаллического карбида кремния n+-типа проводимости с эпитаксиальным n-слоем, омический электрод (ОЭ), соединенный
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента