|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ФОТОДИОДНЫЙ ПРИЕМНИК ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2310949 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L031/101 | | Аналоги изобретения: | US 5880510 A, 09.03.1999. RU 49361 U1, 10.11.2005. RU 2244366 C1, 10.01.2005. RU 2244365 C1, 10.01.2005. US 5861626 A, 19.01.1999. GB 2372375 A, 21.08.2002. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU) | | Изобретатели: | Васильев Владимир Васильевич (RU)
Варавин Василий Семенович (RU)
Дворецкий Сергей Алексеевич (RU)
Михайлов Николай Николаевич (RU)
Сусляков Александр Олегович (RU)
Сидоров Юрий Георгиевич (RU)
Асеев Александр Леонидович (RU) | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU) |
Реферат | |
Фотодиодный приемник инфракрасного излучения содержит прозрачную для излучения спектральной области фотоприема полупроводниковую подложку, полупроводниковую варизонную структуру, размещенную на подложке. В составе варизонной структуры со стороны подложки последовательно друг на друге выполнены следующие слои.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента