Алексеев И.В. Применение кристаллов TlInSe2 для детектирования жесткой радиации. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, т.28, 12, с.2404 (1992). RU 54440 U1, 27.06.2006. RU 2308740 С1, 20.10.2007. RU 2309398 С1, 27.10.2007. Товстюк К.Д. Полупроводниковое материаловедение. - Киев.: Наукова думка, 1984, с.213.
Имя заявителя:
Алексеев Игорь Васильевич (RU), Розов Сергей Владимирович (RU)
Изобретатели:
Алексеев Игорь Васильевич (RU) Розов Сергей Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Алексеев Игорь Васильевич (RU) Розов Сергей Владимирович (RU)
Реферат
Изобретение относится к области приборостроения и может найти применение для измерения основных параметров нейтронных потоков. Технический результат - расширение функциональных возможностей. Для достижения данного результата нейтроны регистрируются не непосредственно, а с помощью ядерных реакций. В результате ядерных реакций возникает гамма-излучение или заряженные частицы. Измерение нейтронного потока осуществляется на основе ионизации полупроводника гамма-излучением. При этом детектор содержит в качестве чувствительного элемента полупроводник TlInSe2, в который введен изотоп 6Li. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.