Y.Takanashi et al, Required Donor Concentration of Epitaxial Layers for Efficient InGaAsP Avalanche Photodiodes, Japan Journal of Applied Physics, v.19, 4, April, 1980, с.693-701. US 7271405 B2, 18.09.2007. US 6870239 B1, 22.04.2005. US 5471068 A, 28.11.1995. US 4203124 A, 13.05.1980. RU 2290721 C2, 27.12.2006. RU 2102821 C1, 20.01.1998.
Имя заявителя:
Патрашин Александр Иванович (RU)
Изобретатели:
Патрашин Александр Иванович (RU)
Патентообладатели:
Патрашин Александр Иванович (RU)
Реферат
Изобретение относится к оптоэлектронике. Многокаскадный лавинный фотодетектор содержит не менее двух каскадов умножения на основе полупроводниковых p+-n (n+-p) гетероструктур, включающих, по крайней мере, два полупроводниковых слоя. Толщины первых слоев гетероструктур не превышают диффузионную длину неосновных носителей тока. Концентрация легирующей примеси в первых слоях гетероструктур превышает концентрацию легирующей примеси во вторых слоях. На каждом первом слое структуры и втором слое последней структуры расположены омические контакты. Ширина запрещенной зоны первых слоев гетероструктур меньше ширины запрещенной зоны вторых слоев, ширина запрещенной зоны первого слоя первой гетероструктуры не превышает ширину запрещенной зоны первых слоев остальных гетероструктур, а ширина запрещенной зоны вторых слоев гетероструктур одинакова. Изобретение обеспечивает повышение коэффициента умножения и отношения сигнал/шум фотодетектора с одновременным расширением спектрального диапазона фоточувствительности в длинноволновую область спектра, сохранением рабочей температуры и подавлением паразитной фоточувствительности. 7 з.п. ф-лы, 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента