US 7233051 B2, 19.07.2007. US 7209623 B2, 24.03.2007. US 122734 B2, 17.10.2006. JP 61226973 A, 08.10.1986. RU 2105388 C1, 20.02.1998.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" (RU)
Изобретатели:
Корнаухов Александр Васильевич (RU) Шенгуров Владимир Геннадьевич (RU) Филатов Дмитрий Олегович (RU) Исаков Михаил Александрович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" (RU)
Реферат
Изобретение может быть использовано в оптических системах связи, в системах измерения в качестве оптоэлектронного датчика, в том числе в системах детектирования частиц высоких энергий, в интегральной оптоэлектронике. Лавинный фотодиод содержит поглощающий слой на основе германия и кремния, умножительный слой из кремния, примыкающий к умножительному слою первый подконтактный слой из легированного кремния и примыкающий к поглощающему слою второй подконтактный слой из легированного кремния. Поглощающий слой выполнен из легированного кремния с наноразмерными включениями твердого раствора GexSi1-x(x0,5), при этом в поглощающем слое твердый раствор и кремний имеют одинаковый тип проводимости, поглощающий слой примыкает к умножительному слою из легированного кремния, тип проводимости которого отличается от типа проводимости поглощающего слоя, а концентрация легирующей примеси в умножительном слое меньше, чем концентрация легирующей примеси в поглощающем слое. Изобретение обеспечивает расширение рабочего спектрального диапазона фотодиода в области ближнего ИК-диапазона при одновременном улучшении квантовой эффективности и электрических характеристик фотодиода и упрощении его конструкции. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента