WO 2004066354 A2, 05.08.2004. RU 217204242 C2, 10.08.2001. JP 11040825 A1, 12.02.1999. ЕР 0217405 А1, 08.04.1987.
Имя заявителя:
ГАРДИАН ИНДАСТРИЗ КОРП. (US)
Изобретатели:
КРАСНОВ Алексей (US)
Патентообладатели:
ГАРДИАН ИНДАСТРИЗ КОРП. (US)
Приоритетные данные:
23.02.2006 US 11/359,775
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике. Фотоэлектрический прибор согласно изобретению выполнен не основе аморфного кремния, содержит переднюю стеклянную подложку, активную полупроводниковую пленку, содержащую аморфный кремний, электропроводный и практически прозрачный передний электрод, расположенный, по меньшей мере, между передней стеклянной подложкой и активной полупроводниковой пленкой и задний электрод. Активная полупроводниковая пленка расположена между передним электродом и задним электродом. Передний электрод содержит проводящий слой, содержащий оксид индия-цинка (IZO). Также предложен еще один вариант выполнения фотоэлектрического прибора и способ изготовления фотоэлектрических приборов. Изобретение обеспечивает стабилизацию оптических и/или электрических свойств фотоэлектрического прибора. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 2 ил.