JP 62247574 A, 28.10.1987. JP 62179165 A, 06.08.1987. JP 62165375 A, 21.07.1987. RU 2024112 C1, 30.11.1994. RU 2038653 C1, 27.06.1995.
Имя заявителя:
ГАРДИАН ИНДАСТРИЗ КОРП. (US)
Изобретатели:
Краснов Алексей (US)
Патентообладатели:
ГАРДИАН ИНДАСТРИЗ КОРП. (US)
Приоритетные данные:
24.08.2006 US 11/509,094
Реферат
Согласно изобретению фотоэлектрическое устройство, содержащее: лицевую стеклянную подложку; полупроводниковую пленку, включающую слои р-, n- и i-типа; пленку на основании по существу прозрачного проводящего оксида (ТСО), расположенную между, по крайней мере, лицевой стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой, и промежуточную пленку, расположенную между пленкой на основе ТСО и полупроводниковой пленкой (абсорбером), где промежуточная пленка является полупроводником и характеризуется коэффициентом преломления (n), большим, чем коэффициент преломления пленки на основе ТСО, и меньшим, чем коэффициент преломления полупроводниковой пленки. Также предложен еще один вариант фотоэлектрического устройства и способ изготовления фотоэлектрического устройства. Изобретение обеспечивает возможность снизить оптическое отражение солнечного излучения от границы раздела ТСО/абсорбер, тем самым увеличивая количество излучения, которое проникает в абсорбер и которое может быть преобразовано в электрическую энергию, увеличить количество излучения, захваченного внутри абсорбера, снизить встречную диффузию элементов между ТСО лицевого контакта и абсорбирующей полупроводниковой пленкой и/или сформировать буферный слой высокого сопротивления (HRBL) между лицевым контактом ТСО и пленкой абсорбера. 3 н. и 24 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента