RU 2197036 C2, 20.01.2003. RU 2002118855 A, 10.03.2004. RU 2360327 C2, 27.06.2009. RU 2383968 C2, 10.03.2010. ЕР 1061587 А1, 20.12.2000.
Имя заявителя:
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" (RU)
Изобретатели:
Мурашев Виктор Николаевич (RU) Диденко Сергей Иванович (RU) Леготин Сергей Александрович (RU) Кобелева Светлана Петровна (RU) Корольченко Алексей Сергеевич (RU) Орлов Олег Михайлович (RU) Коновалов Михаил Павлович (RU) Волков Дмитрий Леонидович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковым координатным детекторам радиационных частиц. Пиксельная биполярная структура с сетчатой базой, согласно изобретению, содержит полупроводниковую подложку, в которой расположена область коллектора 1-го типа проводимости, на которой имеется электрод коллектора, в области коллектора расположена область базы, 2-го типа проводимости, в области базы расположена область эмиттера 1-го типа проводимости, на которой расположен электрод эмиттера. Область базы 2-го типа проводимости выполнена в виде сетки, при этом величина областей пространственного заряда, образованных р-n переходами коллектор-база, превышает расстояние между соседними линиями сетчатой базы. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности координатных детекторов и увеличение соотношения сигнал/шум. Конструкция с сетчатой базой позволяет улучшить собирание заряда, при этом сохранив высокий коэффициент усиления ионизационного тока, вызываемого радиационными частицами. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента