JP 58040858 A, 09.03.1983. US 5358899 A, 25.10.1994. US 5924002 A, 13.07.1999. JP 2002025937 A, 25.01.2002. US 6281528 B1, 28.08.2001. RU 2244986 C1, 20.01.2005. RU 2292610 С1, 27.01.2007.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Андреев Вячеслав Михайлович (RU) Калюжный Николай Александрович (RU) Лантратов Владимир Михайлович (RU) Солдатенков Федор Юрьевич (RU) Усикова Анна Александровна (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к области создания полупроводниковых приборов, чувствительных к излучению, и может использоваться в технологиях по изготовлению омических контактных систем к фотоэлектрическим преобразователям (ФЭП) с высокими эксплуатационными характеристиками, и, в частности, изобретение относится к формированию контактов к слоям GaAs n-типа проводимости, являющимся фронтальными слоями ряда структур концентраторных ФЭП, способных эффективно преобразовывать падающее излучение мощностью 100-200 Вт/см2. Способ формирования контакта для наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя включает предварительное формирование на поверхности наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия электронной проводимости топологии фоточувствительных областей фотолитографией с применением маски из верхнего слоя фоторезиста и нижнего слоя несветочувствительного резиста, или маски из фоторезиста с профилем элементов маски, имеющим уширение от поверхности наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя. Затем проводят очистку свободной от маски поверхности наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя, последовательное напыление слоя эвтектического сплава золота с германием толщиной 10-100 нм, слоя никеля толщиной 10-20 нм и слоя серебра, последующее удаление фоторезиста и отжиг контакта. Изобретение обеспечивает возможность формирования многослойного контакта в ходе одного процесса напыления слоев контакта для наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия, что позволяет упросить весь процесс изготовления контакта. 9 з.п. ф-лы, 9 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента