JP 02-106978 A, 19.04.1990. JP 3263878 A, 25.11.1991. JP 3165068 A, 17.07.1991. US 2002002992 A1, 10.01.2002. US 20040113146 A1, 17.07.2004. US 2003168096 A1, 11.09.2003. RU 2170994 C1, 20.07.2001.
Имя заявителя:
ГАРДИАН ИНДАСТРИЗ КОРП. (US)
Изобретатели:
КРАСНОВ Алексей (US)
Патентообладатели:
ГАРДИАН ИНДАСТРИЗ КОРП. (US)
Приоритетные данные:
22.08.2006 US 11/507,660
Реферат
Фронтальный контакт, используемый в фотоэлектрическом устройстве, согласно изобретению включающем в себя активную полупроводниковую пленку, причем фронтальный контакт содержит переднюю стеклянную подложку; первую пленку из по существу прозрачного проводящего оксида (ТСО); и вторую пленку из по существу прозрачного проводящего оксида (ТСО), имеющую высокую работу выхода, причем работа выхода второй ТСО-пленки выше, чем у первой ТСО-пленки; причем первая ТСО-пленка находится между стеклянной подложкой и второй ТСО-пленкой, при этом вторая ТСО-пленка, имеющая высокую работу выхода, располагается по существу сплошным слоем над первой ТСО-пленкой и контактирует с ней таким образом, что вторая ТСО-пленка находится между первой ТСО-пленкой и самым верхним участком полупроводниковой пленки фотоэлектрического устройства и контактирует с ними; и причем первая ТСО-пленка является более проводящей, чем вторая ТСО-пленка. Также предложены фотоэлектрическое устройство и способ его получения. Изобретение обеспечивает возможность получения улучшенного фронтального контакта для фотоэлектрического устройства, который уменьшает потенциальный барьер для дырок, извлекаемых из устройства фронтальным контактом. 3 н. 18 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента