Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПЕРЕДНИЙ ЭЛЕКТРОД СО СЛОЕМ ТОНКОЙ МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ И БУФЕРНЫМ СЛОЕМ С ВЫСОКОЙ РАБОТОЙ ВЫХОДА ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПРИБОРЕ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТАКОВЫХ

Номер публикации патента: 2435251

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2009120692/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L031/0224    
Аналоги изобретения: US 4940495 A, 10.07.1990. US 20040113146 A1, 17.07.2004. JP 3165068 A, 17.07.1991. JP 3166773 A, 18.07.1991. JP 3023680 A, 31.01.1991. RU 2170994 C1, 20.07.2001. 

Имя заявителя: ГАРДИАН ИНДАСТРИЗ КОРП. (US) 
Изобретатели: КРАСНОВ Алексей (US) 
Патентообладатели: ГАРДИАН ИНДАСТРИЗ КОРП. (US) 
Приоритетные данные: 02.11.2006 US 11/591,676 

Реферат


Фотоэлектрический прибор согласно изобретению содержит переднюю стеклянную подложку; активную полупроводниковую пленку; электрически проводящую и по существу прозрачную структуру переднего электрода, размещенную между по меньшей мере передней стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой; при этом структура переднего электрода содержит по существу прозрачную металлическую пленку и буферную пленку с высокой работой выхода; и при этом буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода, которая является более высокой, чем работа выхода металлической пленки, и буферная пленка с высокой работой выхода размещена между металлической пленкой и самой верхней частью полупроводниковой пленки, причем буферная пленка с высокой работой выхода содержит богатый кислородом оксид индия-олова (ITO). 2 н. и 27 з.п. ф-лы, 4 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"