US 4242695 A, 30.12.1980. RU 75505 U1, 10.08.2008. RU 2212733 C1, 20.09.2003. RU 2185689 С2, 20.07.2002. RU 2022411 C1, 30.10.1994.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)
Изобретатели:
Селяков Андрей Юрьевич (RU) Бурлаков Игорь Дмитриевич (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)
Реферат
Изобретения могут использоваться в пороговых фотоприемных устройствах для регистрации слабого электромагнитного излучения инфракрасного диапазона. ИК фотодиод с высоким отношением сигнал/шум (S/N) содержит сильнолегированный слой (1) основного p-n перехода, сильнолегированный слой (2) дополнительного p-n перехода, общую базу (3) основного и дополнительного p-n переходов, подложку (5). Общая база (3) имеет область 4 пространственного заряда основного p-n перехода. К каждому из слоев структуры сформирован омический контакт (6, 7, 8). Сумма толщин сильнолегированного слоя основного p-n перехода и области пространственного заряда основного p-n перехода, расположенной в общей базе, удовлетворяет условию, определяемому математическим выражением. Для повышения отношения сигнал/шум (S/N) в ИК фотодиоде регистрируют диффузионный ток дополнительного p-n перехода и сумму диффузионного тока и фототока основного p-n перехода, а затем диффузионный ток дополнительного p-n перехода используют для коррелированной обработки сигнала и шума основного p-n перехода. Достигается увеличение отношения сигнал/шум (S/N) ИК фотодиода за счет использования диффузионного тока дополнительного p-n перехода, шумы которого коррелированны с шумами диффузионного тока основного (регистрирующего ИК излучение) p-n перехода, для коррелированной обработки сигнала и шума основного p-n перехода. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента