SU 1589963 A1, 10.07.1996. SU 1265894 A1, 11.04.1985. US 2008090319 A1, 17.04.2008. WO 9428587 A1, 08.12.1994.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Московский завод "САПФИР" (RU)
Изобретатели:
Астахов Владимир Петрович (RU) Астахова Галина Сергеевна (RU) Гиндин Павел Дмитриевич (RU) Карпов Владимир Владимирович (RU) Михайлова Елена Вячеславовна (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Московский завод "САПФИР" (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, чувствительным к инфракрасному излучению, и может быть использовано при производстве охлаждаемых одноэлементных, линейных и матричных приемников излучения с фоточувствительными элементами - планарными фотодиодами на антимониде индия (InSb). В планарном фотодиоде на антимониде индия, содержащем подложку n-типа проводимости с концентрацией легирующих атомов примеси не более 3·10 15 см-3 со сформированным в ней планарным р-n переходом, защитную пленку анодного окисла, пассивирующую диэлектрическую пленку и контактную систему, поверхность подложки имеет кристаллографическую ориентацию (111)А. Изобретение обеспечивает повышение пробивного напряжения планарного фотодиода обеспечивается за счет наименьшей плотности атомов сурьмы на поверхности с кристаллографической ориентацией (111)А. 1 ил.