C.Dhanavantri, et al, Fabrication of PIN diodes for WDM tunable and wavelength selective receivers, in Proc. 7th Conference on Optoelectronics, Fiber Optics & Photonics (Photonics), Cochin, Indien, Dezember 2004, p.340. US 2004238843 A1, 02.12.2004. US 5737818 A, 14.04.1998. US 5696002 A, 09.12.1997. RU 80995 U1, 27.02.2009.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук (RU)
Изобретатели:
Андреев Игорь Анатольевич (RU) Ильинская Наталья Дмитриевна (RU) Серебренникова Ольга Юрьевна (RU) Соколовский Григорий Семенович (RU) Куницына Екатерина Вадимовна (RU) Дюделев Владислав Викторович (RU) Яковлев Юрий Павлович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук (RU)
Реферат
Изобретение представляет собой высокоэффективный полупроводниковый фотодиод для детектирования ИК-излучения, который содержит содержит две сформированные на подложке мезы, поверхность одной из которых является чувствительной площадкой, а другой является контактной, тыльный и фронтальный омические контакты. Тыльный контакт выполнен сплошным и нанесен со стороны подложки, а фронтальный выполнен в виде мостика, причем продольная ось мостика сориентирована под углом 40-50° к кристаллическому направлению {110} подложки А3В5. Мостик электрически изолирован от мезы с контактной площадкой анодным окислом и нанесенным на него по меньшей мере еще одним слоем диэлектрика. Изобретение обеспечивает возможность увеличения эффективности фотодиода за счет одновременного увеличения быстродействия и обнаружительной способности прибора. 2 ил., 5 пр.
Поиск патентов
Получить полное описание патента