

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ИК - ФОТОДИОД С ВЫСОКИМ ОТНОШЕНИЕМ СИГНАЛ/ШУМ И СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ ОТНОШЕНИЯ СИГНАЛ/ШУМ В ИК - ФОТОДИОДЕ

Номер публикации патента: 2473151

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2011137684/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	H01L031/101
Аналоги изобретения:	US 4242695 A, 30.12.1980. US 6534335 B1, 18.03.2003. US 2010038678 A1, 18.02.2010. RU 75505 U1, 10.08.2008. RU 2022411 C1, 30.10.1994.

Имя заявителя:	Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "Орион" (RU)
Изобретатели:	Селяков Андрей Юрьевич (RU) Бурлаков Игорь Дмитриевич (RU)
Патентообладатели:	Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "Орион" (RU)

Реферат

Изобретения относятся к фотоэлектронике и могут использоваться в пороговых фотоприемных устройствах для регистрации слабого электромагнитного излучения инфракрасного диапазона. ИК-фотодиод с высоким отношением сигнал/шум, содержит сильнолегированный слой, прилегающий к прозрачной для ИК-излучения подложке, толщина которого l₁ удовлетворяет условию:

, а также слаболегированный слой другого типа проводимости (базу) толщина которого d удовлетворяет условию d

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"