|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ФОТОТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 862753 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/76 H01L031/10 | | Аналоги изобретения: | Bokemnehl, R.R.Cadmium sulfide Field Effect phototransiston, Proc. JRE 1960, v.48,5,875-882. Мадьяри Б.Н. Элементы оптоэлектроники и фотоэлектрической автоматики. - М., "Сов.радио", 1979, с.160. |
| Имя заявителя: | Запорожский индустриальный институт | | Изобретатели: | Костенко В.Л.
Клименко В.А |
Реферат | |
ФОТОТРАНЗИСТОР на основе МДП - структуры, содержащий полупроводниковую подложку, одна из поверхностей которой является чувствительной к излучению, с областями стока, истока и канала, на которой сформирован слой диэлектрика и электрод затвора, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, поверхность подложки, свободная от диэлектрика, является чувствительной к излучению и имеет пазы над областью канала, площадь сечения каждого из которых удовлетворяет следующему соотношению:
где S1 - площадь сечения паза;
S - площадь канала;
n - число пазов,
а диаметр паза и расстояние между соседними пазами не менее чем на порядок превышает длину волны излучения.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента