Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") (RU)
Изобретатели:
Хан Александр Владимирович (RU) Хан Владимир Александрович (RU) Семенов Анатолий Васильевич (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") (RU)
Реферат
В полупроводниковом источнике излучения, содержащем корпус, оптически прозрачную крышку, расположенную параллельно днищу корпуса, прямоугольную диэлектрическую пластину, на которой с верхней стороны размещена прямоугольная матрица полупроводниковых излучающих диодов, а сама пластина размещена на днище корпуса, и жидкость, заполняющая внутреннюю свободную полость корпуса, в каждом ряду матрицы размещено одинаковое количество последовательно согласно соединенных диодов, количество которых рассчитано на питание от источника, имеющего стандартное значение напряжения. Полупроводниковый источник излучения согласно изобретению не требует разработки источников питания с нестандартными значениями напряжений Система: предлагаемый полупроводниковый источник излучения - стандартный источник питания - обладает бóльшим коэффициентом полезного действия, чем система: устройство-прототип - нестандартный источник питания. Полупроводниковый источник излучения согласно изобретению может работать на постоянном и импульсном токе, на переменном токе различной частоты и различных видах модуляции. Изобретение обеспечивает расширение функциональных возможностей. 3 з.п. ф-лы, 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента