JP 2008166567 A, 17.07.2008. JP 2007123398 A, 17.05.2007. JP 2002252423 A, 06.09.2002. US 2007252132 A1, 01.11.2007. JP 2008544536 A, 04.12.2008. RU 2295174 C2, 10.03.2007.
Изобретение может быть использовано в системе связи, называемой системой с мультиплексированием по длине волны (WDM), что является выгодным способом связи на больших расстояниях. Согласно изобретению массив полупроводниковых светоизлучающих элементов содержит: полупроводниковую кристаллическую подложку; изолирующую пленку, расположенную на поверхности подложки, причем изолирующая пленка разделена на две или более области, каждая из которых имеет два или более отверстия, обнажающие поверхность подложки; полупроводниковые стержни, простирающиеся от поверхности подложки вверх через отверстия, причем каждый из полупроводниковых стержней имеет наслоенные в направлении его простирания слой полупроводника n-типа и слой полупроводника р-типа, тем самым обеспечивающие р-n-переход; первый электрод, соединенный с полупроводниковой кристаллической подложкой; и второй электрод, соединенный с верхними частями полупроводниковых стержней; при этом высоты полупроводниковых стержней, измеренные от поверхности подложки, меняются у каждой из упомянутых двух или более областей. Изобретение обеспечивает возможность простого формирования множества светоизлучающих элементов, которые излучают лучи света с различными длинами волн и сформированы на одной и той же подложке. 7 н. и 8 з.п. ф-лы, 25 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента