|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ИЗДЕЛИЕ И ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО |  |
Номер публикации патента: 2120684 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L035/00 H01L035/16 H01L035/32 | | Аналоги изобретения: | Гольцман Б.М. и др. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi<SB>2</SB>Te<SB>3</SB>. - М.: Наука, с.73-74. С.271-275б рис.3.5б. SU 109343 A, 1958. SU 1459556 A1, 1995. WO 94/16465 A1, 1994. GB 997184 A, 1965. |
| Имя заявителя: | Общество с ограниченной ответственностью "НПО. КРИСТАЛЛ" | | Изобретатели: | Белов Ю.М. | | Патентообладатели: | Общество с ограниченной ответственностью "НПО. КРИСТАЛЛ" |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к полупроводниковым изделиям для термоэлектрических устройств и термоэлектрическим устройствам и может быть использовано в термоэлектрических приборах, основанных на эффектах Пельтье и Зеебека. Полупроводниковое изделие, изготовленное из кристаллического материала типа AV BVI со слоистой структурой, имеющего плоскости спайности между слоями, выполнено в форме многогранника, имеющего первую пару параллельных граней, вторую пару параллельных граней, расположенную по существу перпендикулярно поверхностям спайности. Плоскости спайности расположены относительно параллельных граней первой пары под углами не более 7o. Параллельные грани первой пары образованы поверхностями кристаллического материала, полученными в результате его кристаллизации и свободными от последующей разрушающей обработки, а параллельные грани второй пары получены путем разрушающей обработки. Термоэлектрическое устройство, содержащее по меньшей мере одно полупроводниковое изделие p-типа, изготовленное из первого кристаллического материала со слоистой структурой, и по меньшей мере одно полупроводниковое изделие n-типа, изготовленное из материала со слоистой структурой. Каждое полупроводниковое изделие выполнено в виде бруска, имеющего первую поверхность, соединенную с электродом, вторую и третью противолежащие поверхности, расположенные перпендикулярно первой поверхности. Все слои кристаллического материала, из которого изготовлено каждое полупроводниковое изделие, расположены относительно его второй и третьей указанных поверхностей под углом не более чем 7o. При таком выполнении в случае растрескивания любого полупроводникового изделия по границам слоев материала сохраняются электрофизические и теплофизические свойства устройства и незначительно уменьшается его прочность. 2 с. и 2 з.п. ф-лы, 9 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента