RU 2327253 C2, 20.06.2008. SU 1769646 A1, 20.06.2000. JP 2005050845 A, 24.02.2005. JP 2030102 A, 31.01.1990. JP 6085336 A, 25.03.1994. US 4326188 A, 20.04.1982. WO 01/82387 A1, 01.11.2001. EP 1622210 A1, 01.02.2006.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Марийский государственный технический университет (RU)
Изобретатели:
Игумнов Владимир Николаевич (RU) Большаков Александр Павлович (RU) Филимонов Виталий Евгеньевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Марийский государственный технический университет (RU)
Реферат
Изобретение относится к области криоэлектроники и может быть использовано в высокотемпературных сверхпроводниковых (ВТСП) схемах. Техническим результатом изобретения является повышение качества управляемого резистора, уменьшение его габаритов и сложности, возможность автоматического управления и применения при азотных температурах. Сущность изобретения: в управляемом сверхпроводниковом резисторе резистивный магниточувствительный элемент выполнен в форме меандра из толстопленочного высокотемпературного сверхпроводника, магнитный управляющий элемент выполнен в виде толстопленочной высокотемпературной сверхпроводящей дорожки, расположенной параллельно плоскости меандра, симметрично его оси и изолированно от него. При этом параметры устройства связаны между собой определенным соотношением. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента