|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ПОРОГОВЫЙ НАНОЭЛЕМЕНТ |  |
Номер публикации патента: 2342738 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L043/08 | | Аналоги изобретения: | RU 2120142 С1, 10.10.1998. RU 2081460 С1, 10.06.1997. RU 2168774 С1, 16.11.1999. RU 2093905 С1, 20.10.1997. DE 102005040293 В3, 21.09.2006. JP 10019909 А, 23.01.1998. |
| Имя заявителя: | Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН (RU) | | Изобретатели: | Касаткин Сергей Иванович (RU)
Муравьев Андрей Михайлович (RU) | | Патентообладатели: | Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области магнитных наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным эффектом. Техническим результатом является создание магниторезистивного порогового наноэлемента на основе тонкопленочной многослойной наноструктуры с планарным протеканием сенсорного тока, обладающего малыми токами управления.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента