Учреждение Российской академии наук Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН (RU)
Изобретатели:
Касаткин Сергей Иванович (RU) Муравьев Андрей Михайлович (RU) Амеличев Владимир Викторович (RU) Решетников Иван Александрович (RU) Гаврилов Роман Олегович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к области магнитных датчиков и может быть использовано в тахометрах, устройствах неразрушающего контроля, датчиках перемещения, датчиках для измерения постоянного и переменного магнитного поля, электрического тока. Магниторезистивный датчик содержит подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными низкорезистивными перемычками четыре ряда линейно расположенных и последовательно соединенных этими перемычками тонкопленочных магниторезистивных полосок, каждая из которых содержит нижний и верхний защитные слои, между которыми расположена магнитомягкая пленка, первый изолирующий слой поверх тонкопленочных магниторезистивных полосок, на котором сформирован проводник управления с рабочими частями, расположенными над тонкопленочными магниторезистивными полосками вдоль каждого их ряда и соединенными в виде меандра, второй изолирующий слой, планарная катушка, рабочие части которой расположены вдоль оси легкого намагничивания и защитный слой, причем тонкопленочные магниторезистивные полоски в двух соседних рядах ориентированы под углом 45° относительно оси легкого намагничивания, а в двух других соседних рядах - под углом -45° относительно оси легкого намагничивания, при этом противоположными плечами мостовой схемы являются соответственно два внешних и два внутренних ряда магниторезистивных полосок на поверхности проводника управления расположена магнитожесткая пленка. Техническим результатом изобретения является получение магниторезистивного датчика с оптимальным направлением вектора намагниченности ферромагнитной пленки в тонкопленочной магниторезистивной полоске, что увеличит чувствительность датчика и линейность его ВЭХ. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента