Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ

Номер публикации патента: 2175795

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2000132424/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L051/00    
Аналоги изобретения: ЗИ. С. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ. - М.: МИР, книга 2, 1984, c.76-78. RU 2108641 Cl, 04.10.1998. SU 1414238 A1, 06.10.1997. US 4025940 A, 24.05.1977. US 5382816 A, 17.01.1995. JP 58003287 A, 01.10.1983. 

Имя заявителя: Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) 
Изобретатели: Кожитов Л.В.
Крапухин В.В.
Кондратенко Т.Т.
Тимошина Г.Г.
Кондратенко Т.Я.
Ковалев А.Н. 
Патентообладатели: Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) 

Реферат


Использование: изобретение относится к электронной технике, в частности к конструированию и технологии изготовления полевого транзистора с изолированным затвором, и может быть использовано в силовой промышленной электронике и электротехнике при производстве приборов управления токами большой величины. Сущность изобретения: вырожденный монокристаллический кремниевый n+типа слой стока полевого транзистора выполнен в виде полого цилиндра. На внутренней поверхности этого слоя образован металлический контакт стока, имеющий цилиндрическую форму. На внешней поверхности этого слоя сформирован монокристаллический кремниевый n типа слой формирования канала проводимости. В центральной части поверхности монокристаллического кремниевого n типа слоя формирования канала проводимости размещен цилиндрический слой диэлектрика, на поверхности которого образован цилиндрический металлический контакт затвора, по обе стороны от которого симметрично размещена пара цилиндрических металлических контактов истока. Техническим результатом изобретения является подавление краевого эффекта, снижение уровня электротепловой деградации, а также повышение рабочей мощности. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"