Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ЗАЩИТНОЕ УСТРОЙСТВО СВЧ

Номер публикации патента: 2189670

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2001122566/09 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01P001/22   H02H003/00    
Аналоги изобретения: ВАЙСБЛАТ А.В. Коммутационные устройства на полупроводниковых диодах. - М.: Радио и связь, 1987, с.45, рис.2.23 б. RU 2025838 C1, 30.12.1994. RU 95105039 A1, 27.01.1997. US 4361819 A, 30.11.1982. 

Имя заявителя: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" 
Изобретатели: Балыко А.К.
Мальцев В.А.
Рудый Ю.Б. 
Патентообладатели: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" 

Реферат


Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым защитным устройствам СВЧ. Техническим результатом является увеличение допустимой величины выходной мощности. В защитном устройстве отрезок линии выполнен в виде двух связанных линий, на конце одной из которых расположен pin-диод, а на конце другой резистор.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"