RU 2324139 С1, 10.05.2008. RU 2271057 С2, 27.02.2008. RU 54262 U1, 10.06.2006. US 5062586 А, 05.11.1991. FR 2627268 А1, 18.08.1989. ВОСКРЕСЕНСКИЙ Д.И. и др. Устройства СВЧ и антенны. - М.: Радиотехника, 2008, с.328-329.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации (RU), Открытое акционерное общество "Конструкторское бюро "Аметист" (RU)
Изобретатели:
Карев Лев Рафаилович (RU) Морозов Герман Алексеевич (RU) Самулевич Всеволод Всеволодович (RU) Сергеев Анатолий Николаевич (RU) Хасин Яков Соломонович (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации (RU) Открытое акционерное общество "Конструкторское бюро "Аметист" (RU)
Реферат
Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в радиолокации для обнаружения целей, их захвата и сопровождения, например в радиолокационных системах управления оружием. Технический результат состоит в обеспечении повышения быстродействия системы управления оружием, например, по потоку ракет в угловом секторе атаки, в том числе низколетящих, повышении количества одновременно сопровождаемых целей и точности выработки их координат. Для этого работа первой антенны в режимах обнаружения целей и подсвета сектора их атаки позволяет использовать в качестве второй антенны сопровождения приемную антенную решетку с цифровым формированием необходимого количества независимых лучей. Использование антенной решетки с цифровым диаграммообразованием позволяет: одновременно сопровождать несколько целей и одновременно готовить данные по этим целям для управляемого оружия; формировать оптимальные по форме диаграммы направленности второй антенны в режимах захвата и сопровождения, что сокращает время захвата целей и повышает точность выработки координат сопровождаемых целей; формировать двухнулевые разностные диаграммы направленности в режиме сопровождения низколетящих целей (использовать метод Уайта), что повышает надежность их сопровождения. 4 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента