|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ЛАЗЕР С ПЕРИОДИЧЕСКОЙ СТРУКТУРОЙ |  |
Номер публикации патента: 1378740 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01S003/18 | | Аналоги изобретения: | Fikuzawa T. and oth. Monolitic integration of GaAlAs injection laser with a Schottkygate field effeet transistor. Appl. Phys. Lett. 1980, v.36, N 3, p.181-183. Гош Д. Лазер с периодической структурой. - Электроника, 1985, т.58, N 15, с.26-28. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Артамонов М.М.
Ильичев Э.А.
Полторацкий Э.А.
Инкин В.Н.
Минаждинов М.С.
Афанасьев А.К.
Алавердян С.А.
Шелюх |
Реферат | |
Изобретение относится к оптоэлектронике и может использоваться в системах оптической обработки информации и в ВОЛС. Цель изобретения - уменьшение управляющей мощности, управление диаграммой направленности и повышение граничной частоты модуляции. Лазер содержит подложку, например p+-GaAs, слой p - Ga1-хAlхAs, слой p-GaAs, слой n - Ga1-уAl4As, первый дополнительный полупроводниковый слой пGaAs толщиной 0,3 мкм с концентрацией примеcи 1,5·1017 см -3, монокристаллический изолирующий слой Ga1-zAlzAs : O (2 ≈ 0,25 толщиной 0,2 мкм, второй дополнительный полупроводниковый слой пGaAs толщиной 0,15 мкм с концентрацией легирующей примеси 1,5·1017см-3, полевые электроды, выполненные в канавках с наклонными стенками глубиной 0,3 мкм, расположенными на расстояниях, обеспечивающих фазовую синхронизацию излучения (≲ = 10 мкм), и истоки. Лазер обеспечивает рабочую полосу частот порядка 5 ГГц и позволяет выполнить излучатель и схемы обрамления в одном кристалле. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента