RU 2172551 C2, 20.08.2001. GB 2094547 A, 15.09.1982. US 4864385 A, 05.09.1989. EP 0802619 A1, 22.10.1997. EP 0933867 A1, 08.04.1999. WO 9621892 A, 18.07.1996.
Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано в электронных схемах регулирования мощности со схемами теплоотвода от силовых полупроводниковых элементов, таких как, например тиристоры, биполярные транзисторы с изолированными затворами и силовые полевые транзисторы. Техническим результатом является повышение устойчивости к электрическому пробою. В настоящем изобретении реализуется схема электрического регулирования мощности с помощью, по меньшей мере, одного устройства (201а-201с, 202а-202с) регулирования мощности и, по меньшей мере, одного устройства (101а-101с) теплоотвода, причем, по меньшей мере, одно устройство (101а-101с) теплоотвода имеет тепловой контакт с, по меньшей мере, одним устройством (201а-201с, 202а-202с) регулирования мощности. Устройство (101а-101с) теплоотвода скоммутировано на заданный постоянный электрический потенциал (103а-103с) и электрически изолировано от, по меньшей мере, одного устройства (201а-201с, 202а-202с) регулирования мощности. 6 з.п. ф-лы, 3 ил.