SU 1352583 A1, 15.11.1987. SU 729740 A1, 25.04.1980. SU 684669 A1, 05.09.1979. SU 1548822 A1, 07.03.1990. CN 201393058 Y, 27.01.2010.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)
Изобретатели:
Лепёхин Николай Михайлович (RU) Мирошниченко Валерий Петрович (RU) Перунов Анатолий Афанасьевич (RU) Присеко Юрий Степанович (RU) Филиппов Валентин Георгиевич (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)
Реферат
Изобретение относится к области высоковольтной импульсной техники. Технический результат заключается в повышении надежности устройства путем уменьшения вероятности взрыва конденсаторов в динамическом режиме работы устройства. Устройство содержит зарядное устройство, n параллельно соединенных модулей ЕНЭ, n зарядных диодов и высоковольтный управляемый разрядник, причем первые выводы модулей ЕНЭ соединены с катодами зарядных диодов, вторые выводы модулей ЕНЭ объединены и соединены с отрицательным выводом зарядного устройства и первым выводом нагрузки, первый вывод высоковольтного управляемого разрядника соединен со вторым выводом нагрузки. В устройство введены n разрядных диодов, аноды которых соединены с катодами зарядных диодов и с первыми выводами модулей ЕНЭ, катоды разрядных диодов объединены и соединены со вторым выводом высоковольтного управляемого разрядника, а аноды зарядных диодов объединены и соединены с положительным выводом зарядного устройства непосредственно. Кроме того, в устройстве в качестве зарядных диодов использованы полупроводниковые высоковольтные высокочастотные диоды, номинальные параметры которых соответствуют номинальному зарядному току и уровню зарядного напряжения модулей ЕНЭ. Кроме того, в устройстве в качестве разрядных диодов использованы полупроводниковые высоковольтные диоды, например таблеточной конструкции, номинальные параметры которых соответствуют величинам ударных токов, формируемых каждым модулем ЕНЭ, и уровню зарядного напряжения модулей ЕНЭ. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента