БАСКАКОВ С.И. Радиотехнические цепи и сигналы. Учебник для вузов по специальности радиотехника. - М.: Высш. шк., 1988, 330-337 с. RU 2060 U1, 16.04.1996. SU 462364 A3, 28.02.1975. SU 369677 A, 08.11.1973. SU 266099 A1, 01.01.1970). CN 1523616 A, 25.08.2004. KR 20030014121 A, 15.02.2003. JP 8139559 A, 31.05.1996.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого (RU)
Изобретатели:
Бичурин Мирза Имамович (RU) Килиба Юрий Владимирович (RU) Пукинский Юрий Жанович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого (RU)
Реферат
Изобретение относится к электронной технике и может быть применено для подавления электромагнитных помех в цепях питания телекоммуникационной аппаратуры, ВЧ- и СВЧ- техники и в других устройствах цифровой обработки сигналов. Фильтр подавления электромагнитных помех состоит из катушек индуктивности (2), выполненных на подложке с максимально возможной магнитной проницаемостью, их взаимное расположение увеличивает их индуктивность. Для предотвращения связи катушек по электрическому полю между ними помещен электростатический экран (3). Электростатический экран выполнен на подложке с максимальной диэлектрической проницаемостью, в центре экрана имеется небольшое отверстие для электрического соединения центральных выводов катушек. Электростатический экран (3) и внешние обкладки (1), которые также выполнены на подложке с максимальной диэлектрической проницаемостью, являются обкладками конденсаторов, второй обкладкой являются сами катушки. Металлизация электростатического экрана не должна обладать магнитными свойствами, металлизация внешних обкладок может обладать магнитными свойствами, что приведет к минимизации внешних магнитных полей, излучаемых фильтром. Повышение эффективности фильтрации питающих напряжений радиоэлементов является техническим результатом изобретения. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента