Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ СИЛОВЫМ ТИРИСТОРОМ

Номер публикации патента: 2084072

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 94037916 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H02M001/08    
Аналоги изобретения: 1. Авторское свидетельство СССР N 1591149, кл. H 02 M 1/08, 1990. 2. Авторское свидетельство СССР N 964894, кл. H 01 M 1/08, 1982. 

Имя заявителя: Акционерное общество Научно-технический центр "АвтоВАЗ" 
Изобретатели: Кашканов В.В. 
Патентообладатели: Акционерное общество Научно-технический центр "АвтоВАЗ" 

Реферат


Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано в устройствах управления быстродействующими тиристорами силовых преобразователей. Сущность: устройство содержит первый источник напряжения, отрицательный вывод которого подключен к катоду силового тиристора, а положительный вывод через эмиттерно-коллекторный переход ограничивающего транзистора подключен к базе дополнительного транзистора и через токоограничивающий резистор - к эмиттеру основного транзистора, при этом база основного транзистора подключена к эмиттеру дополнительного транзистора, а коллектор основного транзистора подключен к базе запирающего транзистора, положительный вывод второго источника напряжения подключен к катоду силового тиристора, а отрицательный вывод к коллектору запирающего транзистора, базо-коллекторный переход которого зашунтирован первым резистором, а базо-эмиттерный переход зашунтирован диодом, анод которого, кроме того, подключен к коллекторам основного и дополнительного транзисторов, причем базо-эмиттерный переход основного транзистора зашунтирован вторым резистором, а база ограничивающего транзистора подключена к эмиттеру основного транзистора через последовательно соединенные третий и четвертый резисторы, общая точка которых через конденсатор подключена к положительному выводу первого источника напряжения, при этом база дополнительного транзистора подключена к выходу релейного элемента с оптронным входом и гистерезисной характеристикой. 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"