На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ СИЛОВЫМ ТИРИСТОРОМ | ![](Images/non.gif) |
Номер публикации патента: 2084072 | ![](Images/empty.gif) |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H02M001/08 | Аналоги изобретения: | 1. Авторское свидетельство СССР N 1591149, кл. H 02 M 1/08, 1990. 2. Авторское свидетельство СССР N 964894, кл. H 01 M 1/08, 1982. |
Имя заявителя: | Акционерное общество Научно-технический центр "АвтоВАЗ" | Изобретатели: | Кашканов В.В. | Патентообладатели: | Акционерное общество Научно-технический центр "АвтоВАЗ" |
Реферат | ![](Images/empty.gif) |
Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано в устройствах управления быстродействующими тиристорами силовых преобразователей. Сущность: устройство содержит первый источник напряжения, отрицательный вывод которого подключен к катоду силового тиристора, а положительный вывод через эмиттерно-коллекторный переход ограничивающего транзистора подключен к базе дополнительного транзистора и через токоограничивающий резистор - к эмиттеру основного транзистора, при этом база основного транзистора подключена к эмиттеру дополнительного транзистора, а коллектор основного транзистора подключен к базе запирающего транзистора, положительный вывод второго источника напряжения подключен к катоду силового тиристора, а отрицательный вывод к коллектору запирающего транзистора, базо-коллекторный переход которого зашунтирован первым резистором, а базо-эмиттерный переход зашунтирован диодом, анод которого, кроме того, подключен к коллекторам основного и дополнительного транзисторов, причем базо-эмиттерный переход основного транзистора зашунтирован вторым резистором, а база ограничивающего транзистора подключена к эмиттеру основного транзистора через последовательно соединенные третий и четвертый резисторы, общая точка которых через конденсатор подключена к положительному выводу первого источника напряжения, при этом база дополнительного транзистора подключена к выходу релейного элемента с оптронным входом и гистерезисной характеристикой. 1 ил.
|