US 6285245 В1, 04.09.2001. SU 1083341 А, 30.03.1984. US 2003/0233714 А1, 20.10.2005. US 5886577 А, 23.03.1999.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Изобретатели:
Прокопенко Николай Николаевич (RU) Будяков Петр Сергеевич (RU) Белич Сергей Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Реферат
Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, ВЧ и СВЧ-усилителях, фильтрах, драйверах линий связи и т.п.). Технический результат: повышение предельных значений коэффициента усиления по напряжению ДУ при низковольтном питании в рамках техпроцессов SGB25VD. Дифференциальный операционный усилитель с парафазным выходом содержит первый (1) и второй (2) входные транзисторы, первый (3) и второй (4) выходные транзисторы, эмиттеры которых соединены с соответствующими первым (5) и вторым (6) парафазными выходами устройства и через первый (7) и второй (8) токостабилизирующие двухполюсники связаны с шиной первого (9) источника питания, первый (10) резистор коллекторной нагрузки, включенный между базой первого (3) выходного транзистора и шиной второго (11) источника питания, второй (12) резистор коллекторной нагрузки, включенный между базой второго (4) выходного транзистора и шиной второго (11) источника питания, третий (13) токостабилизирующий двухполюсник, включенный между эмиттером первого (1) входного транзистора и шиной первого (9) источника питания, причем коллекторы первого (3) и второго (4) выходных транзисторов соединены с шиной второго (11) источника питания. Коллектор первого (1) входного транзистора связан со входом первого (14) дополнительного токового зеркала и через третий (15) резистор коллекторной нагрузки соединен с шиной второго (11) источника питания, причем коллекторный выход первого (14) дополнительного токового зеркала связан с базой первого (3) выходного транзистора, а общий эмиттерный выход первого (14) дополнительного токового зеркала подключен к эмиттеру первого (3) выходного транзистора, коллектор второго (2) входного транзистора связан со входом второго (16) дополнительного токового зеркала и через четвертый (17) резистор коллекторной нагрузки соединен с шиной второго (11) источника питания, причем коллекторный выход второго (16) дополнительного токового зеркала связан с базой второго (4) выходного транзистора, а общий эмиттерный выход второго (16) дополнительного токового зеркала подключен к эмиттеру второго (4) выходного транзистора, эмиттер первого (1) входного транзистора соединен с эмиттером первого (18) дополнительного транзистора, эмиттер второго (2) входного транзистора соединен с эмиттером второго (19) дополнительного транзистора и через четвертый (20) токостабилизирующий двухполюсник соединен с шиной первого (9) источника питания, коллектор первого (18) дополнительного транзистора соединен с базой первого (3) выходного транзистора, коллектор второго (19) дополнительного транзистора соединен с базой второго (4) выходного транзистора, объединенные базы первого (18) и второго (19) дополнительных транзисторов связаны с эмиттером первого (3) выходного транзистора через первый (21) вспомогательный резистор и соединены с эмиттером второго (4) выходного транзистора через второй (22) вспомогательный резистор. 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента