|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ДИОД |  |
Номер публикации патента: 2019902 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H03B007/14 | | Аналоги изобретения: | Патент США N 4340870, кл. H 03B 7/14, 1982. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете | | Изобретатели: | Двинских В.А.
Михайлов А.И.
Климов Б.Н.
Калинин С.Г. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете |
Реферат | |
Сущность изобретения: полупроводниковый кристалл размещен в месте сопряжения первого и второго коаксиальных резисторов. 3 з.п. ф-лы, 4 ил. Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для получения стабильных по частоте колебаний в узкой полосе частот коротковолновой части миллиметрового диапазона длин волн.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента